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N-沟道 (400V 至 650V)

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产品名称: N-沟道 (400V 至 650V)
产品型号: ST XXX系列
产品展商: ST
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简单介绍

N-沟道 (400V 至 650V) 通常可以根据导通电阻为电源管理设计选择合适的、击穿电压范围为450 ~ 650 V的MOSFET,采用ΩMax247封装的产品的导通电阻低至17 mΩ(650 V)。 这些MOSFET设计用于满足SMPS、UPS、LED照明、PV逆变器、电机控制、焊接和汽车应用的各种要求。


N-沟道 (400V 至 650V)  的详细介绍

N-沟道 (400V 至 650V)



N-沟道 (>400V 至 650V)

通常可以根据导通电阻为电源管理设计选择合适的、击穿电压范围为450 ~ 650 V的MOSFET,采用ΩMax247封装的产品的导通电阻低至17 mΩ(650 V)。 这些MOSFET设计用于满足SMPS、UPS、LED照明、PV逆变器、电机控制、焊接和汽车应用的各种要求。

在该额定电压下,MOSFET具有如下特性:

  • 为650 V MOSFET实现了单位面积蕞低的RDS(on)(MDmesh V)
  • 面向所选产品线的本征快速回复二极管
  • 由于具有出色的开关特性,所以易于驱动
  • 广泛的封装选项,包括面向小型设计的SMD PowerFLAT封装
  • 栅极-源极齐纳保护

这些MOSFET提供了多种小型和大功率封装选项:DPAK、D2PAK、I2PAK、I2PAKFP、ISOTOP、Max247、SO8、SOT-223、TO-220、TO-220FP、TO-247、TO-3PF、TO-92和PowerFLAT HV(3.3x3.3、5x5和8x8)。

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