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N-沟道 (150V 至 400V)

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产品名称: N-沟道 (150V 至 400V)
产品型号: IRT XXX系列 / ST XXX系列
产品展商: ST
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简单介绍

N-沟道 (150V 至 400V) 意法半导体’击穿电压范围为150 ~ 400 V的MOSFET提供了低栅极电荷和低至12 mΩ(200 V)的低导通电阻,采用Max247封装。 它们设计用于满足同步整流、UPS、电机控制、SMPS、以太网供电(PoE)、逆变器和汽车应用的各种要求。


N-沟道 (150V 至 400V)  的详细介绍
   N-沟道 (150V 至 400V)  

 N-沟道 (>150V 至 400V)
意法半导体’击穿电压范围为150 ~ 400 V的MOSFET提供了低栅极电荷和低至12 mΩ(200 V)的低导通电阻,采用Max247封装。 它们设计用于满足同步整流、UPS、电机控制、SMPS、以太网供电(PoE)、逆变器和汽车应用的各种要求。
N-沟道 (>150V 至 400V)
意法半导体’击穿电压范围为150 ~ 400 V的MOSFET提供了低栅极电荷和低至12 mΩ(200 V)的低导通电阻,采用Max247封装。 它们设计用于满足同步整流、UPS、电机控制、SMPS、以太网供电(PoE)、逆变器和汽车应用的各种要求。
N-沟道 (>150V 至 400V)
意法半导体’击穿电压范围为150 ~ 400 V的MOSFET提供了低栅极电荷和低至12 mΩ(200 V)的低导通电阻,采用Max247封装。 它们设计用于满足同步整流、UPS、电机控制、SMPS、以太网供电(PoE)、逆变器和汽车应用的各种要求。
 

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