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P沟道(-20V到-500V) ST  XXX系列 P沟道(-20V到-500V) ST XXX系列
P沟道(-20V到-500V) ST XXX系列 P沟道(-20V到-500V) ST XXX系列 P沟道(-20V到-500V) ST XXX系列 P沟道(-20V到-500V) ST XXX系列
N-沟道 (650V) ST  XXX系列 N-沟道 (650V) ST XXX系列
N-沟道 (650V) 意法半导体’击穿电压高于650 V的MOSFET提供了低栅极电荷和低至0.275 Ω(850 V)的低导通电阻,采用PowerFLAT 8x8 HV封装。 对它们进行了优化,从而满足了SMPS、PV逆变器、三相电源和电机控制应用的各种要求。 提供的比电压包括700 V、800 V、850 V、900 V、950 V、1000 V、1200 V和1500 V。
N-沟道 (40V 至 150V) 2N7000/2N7002/ ST  XXX系列 N-沟道 (40V 至 150V) 2N7000/2N7002/ ST XXX系列
N-沟道 (40V 至 150V) 意法半导体’击穿电压范围为40 ~ 150 V的MOSFET提供了低栅极电荷和低至2.6 mΩ(60 V)的低导通电阻,采用H2PAK-6封装。 对它们进行了优化,从而满足了负载点(POL)、同步整流、UPS、电机控制、汽车、LED照明、逆变器和以太网供电(POE)应用的各种要求。
N-沟道 (400V 至 650V) ST  XXX系列 N-沟道 (400V 至 650V) ST XXX系列
N-沟道 (400V 至 650V) 通常可以根据导通电阻为电源管理设计选择合适的、击穿电压范围为450 ~ 650 V的MOSFET,采用ΩMax247封装的产品的导通电阻低至17 mΩ(650 V)。 这些MOSFET设计用于满足SMPS、UPS、LED照明、PV逆变器、电机控制、焊接和汽车应用的各种要求。
N-沟道 (150V 至 400V) IRT XXX系列 / ST  XXX系列 N-沟道 (150V 至 400V) IRT XXX系列 / ST XXX系列
N-沟道 (150V 至 400V) 意法半导体’击穿电压范围为150 ~ 400 V的MOSFET提供了低栅极电荷和低至12 mΩ(200 V)的低导通电阻,采用Max247封装。 它们设计用于满足同步整流、UPS、电机控制、SMPS、以太网供电(PoE)、逆变器和汽车应用的各种要求。
N-沟道 (12V 至 40V) ST XXXX系列 N-沟道 (12V 至 40V) ST XXXX系列
N-沟道 (12V 至 40V) MOSFET具有如下特性: 极低的RDS(on) 广泛的封装选项,包括面向小型设计的SMD PowerFLAT封装和面向大功率设计的H2PAK封装

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